晶圆电镀机台是高端芯片的制造、封装中关键设备，长期由国外公司垄断，近年国内公司在该领域取得突破，但仍与国际水平存在巨大差距。
本项目制作出几种基于薄层流场的新概念晶圆电镀机台原型机，从根本上颠覆现有机台的流场模式，达到国际先进水平，具有结构简单、工艺适应性强、小试即中试、中试及产线应用的特点，并且拥有自主知识产权。
本项目开发的平板式、旋转式、溢流式三种类型单晶圆水平电镀系统具备投入小、机型体积迷你、可以串、并联，灵活性高的优势，适用于快速的工艺研发以及小批量的生产，兼容多种金属电镀工艺，从铜、钴、金、银、锡到金锡合金、银锡合金等，特别对于大马士革、TSV、铜柱、到凸点电镀到玻璃封装电镀工艺开发具有明显优势。
晶圆电镀机台原型机主要技术指标：
（1）机台产品尺寸涵盖20mm*20mm,2/4/6/8/12吋晶圆；
（2）晶圆电镀的镀层均匀性指标，镀层厚度的相对标准偏差不大于 5%；
（3）单电镀腔体配置可以支撑电镀工艺开发以及小批量生产（支持Cu，Ni，Au，SnAu，或SnAg）；
（4）通过该设备系统可以使研发无缝转接至量产，快速达成工艺转移。
（5）自主开发的电场及流场控制及真空润湿夹具设计。
